申请/专利权人：成都恪赛科技有限公司

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117543225B

主分类号：H01Q21/00

分类号：H01Q21/00;B26F1/44;B23K26/21;B23K26/70;H05K9/00;H01Q17/00;H05K5/02;H05K5/03;H05K7/14;H05K5/06;H01P5/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明公开了一种毫米波TR组件、吸波材料切割装置及方法，属于有源微波技术领域。所述毫米波TR组件，包括腔体结构，所述腔体结构内安装有台阶槽印制板，所述台阶槽印制板内安装有裸芯片屏蔽结构，所述台阶槽印制板上安装有盖板结构，所述盖板结构上安装有环形封焊结构，所述环形封焊结构安装上有圆形封焊结构，所述盖板结构上安装有弹性SSMP连接器，所述毫米波TR组件为气密封设计，所述裸芯片屏蔽结构能够避免芯片集成出现自激和谐振，所述腔体结构背面为散热区域。解决了芯片屏蔽问题，提高了通道之间的隔离度，解决了大规模瓦式TR组件无法密封的问题，节约了密封成本，还简化了生产工艺，缩短了生产周期。

主权项：1.一种毫米波TR组件，其特征在于：包括腔体结构1，所述腔体结构1内安装有台阶槽印制板2，所述台阶槽印制板2内安装有裸芯片12屏蔽结构，所述台阶槽印制板2上安装有盖板结构3，所述盖板结构3上安装有环形封焊结构4，所述环形封焊结构4安装上有圆形封焊结构5，所述盖板结构3上安装有弹性SSMP连接器6，所述毫米波TR组件为气密封TR组件，所述裸芯片12屏蔽结构能够避免芯片集成出现自激和谐振，所述腔体结构1背面为散热区域；所述的裸芯片12屏蔽结构嵌入在台阶槽印制板2内，所述裸芯片12屏蔽结构包括裸芯片12，所述裸芯片12上连接有键合金丝11，所述键合金丝11另一端连接第一带状线13，所述第一带状线13设置在台阶槽印制板2内远离所述裸芯片12的一端设置有射频互联孔14，所述射频互联孔14上方台阶槽印制板2表层具有射频扇出盘9，所述射频扇出盘9与弹性SSMP连接器6接触，所述裸芯片12上方设置有吸波材料10，完成裸芯片12上方屏蔽，所述台阶槽印制板2底部及四周均金属化处理，完成裸芯片12底部屏蔽，所述台阶槽印制板2表面与盖板结构3接触完成裸芯片12四周屏蔽。

全文数据：

权利要求：

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