申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司

申请日：2019-11-20

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112446477B

主分类号：G06N3/063

分类号：G06N3/063;G06F7/523;G11C5/02;H10B12/00

优先权：["20190830 US 16/556,912"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.03.23#实质审查的生效;2021.03.05#公开

摘要：本发明公开了一种存储器装置，包括：单元行，设置于字线的多个层级中，单元行包含柱，柱包括第一竖直导电线、第二竖直导电线以及竖直半导体主体，所述竖直半导体主体设置于第一竖直导电线与第二竖直导电线之间且与第一竖直导电线及第二竖直导电线接触。柱选择线邻近于竖直半导体主体且通过栅极介电质与竖直半导体主体间隔开以形成柱选择开关，柱选择线设置在第一竖直导电线及第二竖直导电线下方。底部选择线设置在第一竖直导电线及第二竖直导电线下方，且与柱选择线以及第一竖直导电线及第二竖直导电线绝缘。底部选择线电流接触柱的竖直半导体主体。

主权项：1.一种存储器装置，包括：单元行，设置于字线的多个层级中，所述单元行包含柱，所述柱包括第一竖直导电线、第二竖直导电线以及竖直半导体主体，所述竖直半导体主体设置于所述第一竖直导电线与所述第二竖直导电线之间且与所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线接触；柱选择线，邻近于所述竖直半导体主体且通过栅极介电质与所述竖直半导体主体间隔开以形成柱选择开关，所述柱选择线设置在所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线下方；以及底部选择线，设置在所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线下方且与所述柱选择线以及所述第一竖直导电线及所述第二竖直导电线绝缘，所述底部选择线电流接触所述柱的所述竖直半导体主体；其中，所述单元行中的存储器单元形成在字线与柱的交叉点处，具有第一竖直导电线及第二竖直导电线中的源极端子及漏极端子以及竖直半导体主体中的通道；柱选择线邻近于竖直半导体主体且通过栅极介电质与竖直半导体主体间隔开以形成柱选择开关，柱选择线设置在第一竖直导电线及第二竖直导电线下方；底部选择线设置在第一竖直导电线及第二竖直导电线下方，且与柱选择线以及第一竖直导电线及第二竖直导电线绝缘；底部选择线电流接触柱的竖直半导体主体；底部选择线可在第一方向上延伸，且柱选择线可在与第一方向正交的第二方向上延伸。

全文数据：

权利要求：

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