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【发明授权】偏振无关耦合器_中国科学院半导体研究所_202311551283.4 

申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

申请日:2023-11-21

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN117492134B

主分类号:G02B6/12

分类号:G02B6/12;G02B6/125;G02B6/14

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要:本发明提供一种偏振无关耦合器,涉及硅光子集成电路的技术领域,其包括:基底;第一包覆层,设于基底上;直波导,设于第一包覆层内且沿第一方向布设,直波导被配置为传输光波;弯曲波导,设于第一包覆层内且沿第二方向布设,第一方向和第二方向相垂直,弯曲波导的第一端与直波导的第二端相连接;第二包覆层,设于第一包覆层上;模斑变换波导,设于第二包覆层内,模斑变换波导的第一端与弯曲波导的第二端相连接,模斑变换波导被配置为逐步扩大光模场以实现与单模光纤的光模场匹配。本发明同时保留了端面耦合和垂直耦合的优点,既有利于进行晶圆级光学测试,也能实现操作带宽大、耦合效率高、测试位置灵活的效果。

主权项:1.一种偏振无关耦合器,其特征在于,包括:基底1;第一包覆层2,设于所述基底1上;直波导3,设于所述第一包覆层2内且沿第一方向D1布设,所述直波导3被配置为传输光波;弯曲波导4,设于所述第一包覆层2内且沿第二方向D2布设,所述第一方向D1和所述第二方向D2相垂直,所述弯曲波导4的第一端与所述直波导3的第二端相连接,所述弯曲波导4被配置为改变光波的传播方向;第二包覆层5,设于所述第一包覆层2上;模斑变换波导6,设于所述第二包覆层5内,所述模斑变换波导6的第一端与所述弯曲波导4的第二端相连接,所述模斑变换波导6的第二端用于与光纤对接,所述模斑变换波导6被配置为逐步扩大光模场以实现与单模光纤的光模场匹配;其中,所述模斑变换波导6侧面呈抛物线状,且所述抛物线状满足:y=ax2+b其中,-5×10-4≤a≤-1×10-4,0.4≤b≤0.5。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院半导体研究所 偏振无关耦合器

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