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【发明公布】一种高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺_湖州乐通电子科技有限公司_202310751782.1 

申请/专利权人:湖州乐通电子科技有限公司

申请日:2023-06-25

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117886615A

主分类号:C04B35/64

分类号:C04B35/64;C04B35/38;H01F1/01

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.16#公开

摘要:本发明公开了一种高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,涉及高磁导率MnZn铁氧体技术领域,将一次烧结过程中被氧化或尺寸偏大的MnZn铁氧体磁心置于窑中加热,从室温升至二次烧结最高保持温度为空气或氧气气氛,二次烧结的最高保持温度为一次烧结最高保持温度±50℃,保温时间为0.5‑5h,保温阶段气氛为空气或氧气气氛,降温工艺可按一次烧结工艺进行控制。通过实施本发明,可以将因氧化而表面颜色异常和磁导率低的MnZn铁氧体废磁心变为表面颜色正常和高磁导率的磁心,也可使因一次烧结温度偏低或保温时间偏短而出现尺寸偏大的产品经二次烧结后变为尺寸符合规格要求的磁心。

主权项:1.一种高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-5小时,从室温升至最高保持温度的升温速率为2.5℃分钟-5.0℃分钟,升温过程及温度保持过程气氛为空气或氧气气氛。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 湖州乐通电子科技有限公司 一种高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺

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