申请/专利权人：济南大学

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117897042A

主分类号：H10N70/00

分类号：H10N70/00;H10N70/20;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/35;C23C14/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及忆阻器技术领域，提出了一种氧化物混合忆阻器及制备方法、存储芯片及识别系统，制备方法，包括以下步骤：将带有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯清洗设定时间，得到底部电极和柔性衬底；钨靶材和钛靶材通过直流磁控共溅射在底部电极上，生长得到氧化钨和氧化钛混合薄膜，形成功能层；银靶材通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。通过简单的制备方法向氧化钨掺杂氧化钛制备了性能稳定、均一性和可重复性良好、高电阻调节范围的神经形态忆阻器，采用柔性衬底增加了所制备器件在可穿戴设备、软体机器人以及生物医学传感器等领域的应用场景。

主权项：1.一种氧化物混合忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将带有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯清洗设定时间，得到底部电极和柔性衬底；钨靶材和钛靶材通过直流磁控共溅射在底部电极上，生长得到氧化钨和氧化钛混合薄膜，形成功能层；银靶材通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 济南大学 一种氧化物混合忆阻器及制备方法、存储芯片及识别系统

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