申请/专利权人：福建立亚新材有限公司

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117886620A

主分类号：C04B35/81

分类号：C04B35/81;C04B35/16;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种SiCfSiC陶瓷基复合材料自愈合的环境障涂层的制备方法，采用包埋法制备出致密的SiC梯度涂层SiC粘结层，与SiCfSiC复合材料基体均为SiC材质，具有良好的物理化学相容性，在高温工况下不会出现因热膨胀差引起的涂层龟裂和脱离剥落现象，提高涂层与基体的界面结合能力，并且其自身熔点高、抗氧化性能强，能为面层的Yb2SiO5‑Yb2Si2O7‑SiCw体系持续提供Si；稀土硅酸盐环境障涂层均匀、致密度高、与包埋法制备的SiC粘结层具有较高的结合力，采用超声速等离子喷涂，有效填充了包埋SiC涂层等离子喷涂接触面的空隙，形成Yb2SiO5‑Yb2Si2O7‑SiCw面层体系，达到自愈合涂层内部产生的裂纹的作用。

主权项：1.一种SiCfSiC陶瓷基复合材料自愈合的环境障涂层的制备方法，其特征在于：所述环境障涂层涂覆在SiCfSiC复合材料基体的表面，其特征在于：所述环境障涂层包括粘结层和面层，所述粘结层粘结于所述SiCfSiC复合材料基体与所述面层之间，所述面层为以Yb2Si2O7为主相，以Yb2SiO5分散相及SiC晶须形成的复相涂层；所述粘结层采用包埋法进行制备，其制备方法步骤如下步骤：步骤S1:按质量分数称取40～50％的Si粉、20％～30％的碳化硅晶须、5～15％的C粉和5～15％的B2O3粉，球磨至混合均匀，干燥后过筛得到粒径为30～45μm的混合粉末；步骤S2：将步骤S1的混合粉末置于石墨坩埚中，将SiCfSiC复合材料基体埋入石墨坩埚的混合粉料中，使混合粉料完全覆盖SiCfSiC复合材料基体，再将石墨坩埚密封，放入反应炉中，在氩气保护下以5～15℃min的速率升温至1900～2000℃并保温2～4小时，随后自然冷却至室温，得到包埋SiC粘结层的SiCfSiC复合材料基体，所述SiC粘结层与所述SiCfSiC复合材料基体呈犬牙交错的形式相结合；所述SiC粘结层为SiC梯度涂层，其组分由内而外分别为能够与SiCfSiC复合材料形成结合的富碳SiC、能够用来阻隔氧气通道的高纯SiC、以及能够在高温下与空气中的O2反应生成SiO2以愈合高温热震时产生的微裂纹并同时能为面层持续提供Si以达到自愈合所述环境障涂层内部产生的裂纹的作用的富硅SiC。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建立亚新材有限公司 一种SiC_f/SiC陶瓷基复合材料自愈合的环境障涂层的制备方法

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