申请/专利权人:暨南大学
申请日:2024-01-04
公开(公告)日:2024-04-16
公开(公告)号:CN117897043A
主分类号:H10N70/20
分类号:H10N70/20;H10N70/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B22F1/054
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开
摘要:本发明公开了一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法,具体涉及功能性纳米复合材料领域,包括分段银纳米线网络、纳米颗粒和自组装单分子层修饰,具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。本发明利用分段纳米银之间的平面间隙作为电阻开关,银纳米颗粒在间隙中充当金属孤岛以降低阈值电压,自组装单层抑制表面原子扩散以避免银纳米颗粒的奥斯瓦尔德熟化,从而提高开关稳定性;自组装单分子层和纳米颗粒增强的分段纳米线网络忆阻器不仅避免了传统银纳米线网络堆叠结的副作用,在电压大于阈值电压下提供持久的阈值开关,还表现出在超低电压下的长期增强等突触特性;为在银纳米线网络忆阻器中构建人工神经元和突触集成功能开辟了新的途径。
主权项:1.一种分段纳米线网络忆阻器,其特征在于:包括分段银纳米线网络、填充在分段间隙的纳米颗粒及其两者表面的自组装单分子层修饰,具备由电压控制的阈值开关和突触可塑性的双功能。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 暨南大学 一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。