申请/专利权人：福州大学

申请日：2020-08-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN111952471B

主分类号：H10K71/12

分类号：H10K71/12;H10K71/40;H10K50/115;H10K50/155

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFBAu@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFBAu@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。

主权项：1.一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1:选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底，所述ITO玻璃包括玻璃衬底以及所述玻璃衬底表面覆盖的ITO薄膜；步骤S2:制备量子点溶液;步骤S3:制备Au@SiO2壳核结构纳米颗粒，并将Au@SiO2壳核结构纳米颗粒掺杂空穴传输层材料TFB氯苯溶液，得到TFBAu纳米颗粒溶液；步骤S4:在ITO导电玻璃上旋涂PEDOT：PSS溶液，并通过退火干燥形成薄膜；步骤S5:将TFBAu纳米颗粒溶液旋涂于PEDOT：PSS薄膜上，并通过退火干燥形成空穴传输层；步骤S6:在空穴传输层上旋涂量子点溶液，形成量子点发光中心层；步骤S7:配置ZnO溶液，在量子点膜层之上旋涂该溶液，形成氧化锌的电子传输层；步骤S8:利用真空镀膜机，将铝蒸镀在步骤S7所制备的样片上，形成铝电极；步骤S9:在步骤S8的基础上，再依次蒸镀HATCN和MoO3；步骤S10:重复步骤S4-S8，依次形成PEDOT：PSS薄膜、空穴传输层、量子点发光中心层、电子传输层和铝电极，得到基于Au@SiO2等离子激元增强的叠层结构量子点发光二极管；所述量子点溶液为CdSe量子点溶液；所述步骤S2具体为：步骤S21:将氧化镉粉末、1-十四基磷酸以及三正丁基氧化膦在排空加热条件下混合后制备成镉前驱体溶液；步骤S22:在惰性气体保护下将硒粉末溶于三丁基膦中，制备得到硒前驱体溶液；步骤S23:将硒前驱体溶液注入至镉前驱体溶液中生成混合溶液步骤S24:将所得混合溶液降温至第一温度后保温一定时间，移除热源后再将混合溶液冷却降温至第二温度，得到所述CdSe量子点溶液；所述CdSe量子点溶液的制备过程中，镉前驱体溶液的制备温度为240℃-360℃；硒前驱体溶液的制备温度为100-220℃；混合溶液的生成温度为250℃-330℃，混合溶液的保温时间为1min-20min，第一温度为220℃-270℃，第二温度为80℃-140℃；所得CdSe量子点前驱体溶液中Se和Cd的摩尔比为1:4。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福州大学 基于Au@SiO₂等离子激元增强量子点发光二极管的制备方法

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