申请/专利权人：艾普诺瓦泰克公司

申请日：2019-04-23

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112020762B

主分类号：H01L21/20

分类号：H01L21/20

优先权：["20180422 SE 1830140-8"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：一种增强型薄膜器件100，200，500，包括：衬底101，该衬底具有用于支撑外延层的顶表面；掩模层103，该掩模层被图形化有多个纳米级空腔102，102’，这些纳米级空腔设置在所述衬底101上，以形成针垫；设置在所述掩模层103上的晶格失配半导体的薄膜105，其中，所述薄膜105包括所述晶格失配半导体的嵌入所述薄膜105中的多个平行间隔的半导体针104，204，其中，所述多个半导体针104，204沿轴向方向朝所述衬底101基本上竖直地设置在所述掩模层103的所述多个纳米级空腔102，102’中，并且其中，所述薄膜上设置有其支撑的晶格失配半导体外延层106。

主权项：1.一种增强型薄膜器件，包括：衬底，该衬底具有用于支撑外延层的顶表面；掩模层，该掩模层被图形化有多个纳米级空腔，这些纳米级空腔设置在所述衬底上，以形成针垫；设置在所述掩模层上的晶格失配半导体的薄膜，其中，所述薄膜包括所述晶格失配半导体的嵌入所述薄膜中的多个平行间隔的半导体针，其中，所述多个半导体针沿轴向方向朝所述衬底竖直地设置在所述掩模层的所述多个纳米级空腔中，其中，所述薄膜上设置有其支撑的相对于该衬底是有意失配的晶格失配半导体外延层，其中，该掩模层与该衬底直接接触，并且其中，所述外延层包括至少两个不同晶格失配半导体的多个隔离岛，其中，这两个不同晶格失配半导体中的每一个包括相对于该衬底有意失配的半导体材料。

全文数据：

权利要求：

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