申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-01-05

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113314430B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/67;H01L21/306

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.09.14#实质审查的生效;2021.08.27#公开

摘要：本申请公开了一种CMP工艺中的监测方法以及监控系统，所述监测方法包括：提供具有第一图形的第一光罩；所述第一图形具有预设的第一图形尺寸参数；基于所述第一光罩，对晶圆的一个表面进行刻蚀；所述晶圆具有刻蚀图形的表面为第一表面；在所述第一表面沉积金属层后，对所述第一表面进行多次CMP处理；完成最后一次CMP处理后，获取所述第一表面的第一形貌信息；确定所述第一形貌信息以及所述第一图形尺寸参数的关联关系。本申请技术方案只需要一片晶圆，仅需要在完成最后一次CMP处理后，获得第一表面的形貌信息，无需在不同工艺阶段分别进行数据采集，数据采集周期短，操作简单，效率高。

主权项：1.一种CMP工艺中的监测方法，其特征在于，所述监测方法包括：提供具有第一图形的第一光罩；所述第一图形具有预设的第一图形尺寸参数；基于所述第一光罩，对晶圆的一个表面进行刻蚀；所述晶圆具有刻蚀图形的表面为第一表面；在所述第一表面沉积金属层后，对所述第一表面进行多次CMP处理；完成最后一次CMP处理后，获取所述第一表面的第一形貌信息；确定所述第一形貌信息以及所述第一图形尺寸参数的关联关系。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 CMP工艺中的监测方法以及监测系统

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