申请/专利权人：韩国生产技术研究院

申请日：2019-07-22

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN112970123B

主分类号：H01L31/032

分类号：H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/0376;H01L31/18;H01L31/0445

优先权：["20181031 KR 10-2018-0131641"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.15#公开

摘要：本发明涉及一种利用碘化亚铜薄膜作为电荷选择接触层的电荷选择接触结硅太阳能电池及其制造方法。根据本发明的电荷选择接触结硅太阳能电池的特征在于，包括：导电型硅基板；第一和第二钝化层，其分别位于导电型硅基板的上表面和下表面；空穴选择接触层，其形成于第一钝化层的上表面；上部透明电极，其形成于空穴选择接触层的上表面；上部金属电极，其形成于上部透明电极的上部；电子选择接触层，其形成于第二钝化层的下表面；以及下部金属电极，其形成于电子选择接触层的下表面，空穴选择接触层是为了空穴的选择性移动将在碘薄膜的上表面和下表面重叠有碘化亚铜薄膜的夹层结构的多层膜进行低温热处理而形成的单一膜的碘化亚铜薄膜。

主权项：1.一种电荷选择接触结硅太阳能电池，其特征在于，包括：导电型硅基板；第一和第二钝化层，其分别位于上述导电型硅基板的上表面和下表面；空穴选择接触层，其形成于上述第一钝化层的上表面；上部透明电极，其形成于上述空穴选择接触层的上表面；上部金属电极，其形成于上述上部透明电极的上部；电子选择接触层，其形成于上述第二钝化层的下表面；以及，下部金属电极，其形成于上述电子选择接触层的下表面，上述空穴选择接触层是为了空穴的选择性移动将在碘薄膜的上表面和下表面重叠有碘化亚铜薄膜的夹层结构的多层膜进行低温热处理而形成的单一膜的碘化亚铜薄膜；其中，上述单一膜的碘化亚铜薄膜的组成比为Cu:I＝1:1。

全文数据：

权利要求：

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