申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2022-05-24

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115044870B

主分类号：C23C14/16

分类号：C23C14/16;C23C14/35;C22C45/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.13#公开

摘要：本发明公开了一种非晶难熔高熵合金涂层及其制备方法，元素组成为TaWMoCrZr，其中Zr的原子百分比为23.2～41.3at.％，其余为近等原子比的Ta、W、Mo、Cr。在抛光的钢基体和单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层，其中TaWMoCr合金靶采用2个直流电源，Zr靶采用1个射频电源，通过调控射频靶的功率来调节Zr含量。制备得到的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层为完全非晶结构，成分均匀，组织致密，表面光滑，力学性能优异，且具有良好的组织稳定性，扩展了非晶涂层的应用范围。

主权项：1.一种非晶难熔高熵合金涂层，其特征在于，该合金涂层的化学成分为TaWMoCrZr，组织结构为完全无序非晶态；所述TaWMoCrZr为非晶难熔高熵合金涂层，Ta、W、Mo、Cr四种元素原子百分数之比为1:1:1:1，Zr元素的原子百分数为23.2～41.3at.％；所述的非晶难熔高熵合金涂层的制备方法，包括以下步骤：步骤1、采用磁控溅射共溅射方法在基体上制备TaWMoCrZr非晶难熔高熵合金涂层，溅射方法如下：采用两个TaWMoCr合金靶和Zr靶进行共溅射，TaWMoCr合金靶的直流功率为100W，所述Zr靶的射频功率100～200W；所述TaWMoCr合金靶的原子百分比为Ta:W:Mo:Cr＝29:29:23:19at.％；步骤2、将基体冷却至室温得到TaWMoCrZr非晶难熔高熵合金涂层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种非晶难熔高熵合金涂层及其制备方法

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