申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所

申请日：2021-12-23

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114284390B

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/102

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.04.22#实质审查的生效;2022.04.05#公开

摘要：本发明涉及一种垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法，包括：在载体上制作电容下电极和偏置网络传输线；制作电容介质层；在电容介质层上形成匹配电阻、阻抗匹配网络传输线和电容上电极；形成金属凸点；在二极管芯片背面的衬底上制作微透镜；采用倒装焊的方式将二极管芯片焊接在载体上。本发明中，通过单片集成偏置网络和阻抗匹配网络，实现了对寄生参数的控制，提高了探测器带宽；通过在背面集成微透镜提高耦合冗余度和响应度，并且避免了偏振损耗的影响；各项指标均可达到或超过目前主流的波导型探测器性能指标水平，对超宽带光电探测器的设计和制作有积极意义。

主权项：1.一种垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在载体上制作两个电容下电极，并在每一所述电容下电极的两端分别形成第一偏置网络传输线和第二偏置网络传输线；所述载体材质为碳化硅、氮化铝、金刚石或石墨烯；S2、在载体上制作电容介质层；S3、在电容介质层上对应每一第一偏置网络传输线的位置处分别通过光刻工艺定义出第一接触孔，对应每一第二偏置网络传输线的位置处分别通过光刻工艺定义出第二接触孔；S4、在电容介质层上形成匹配电阻、阻抗匹配网络传输线和两个电容上电极；所述匹配电阻通过阻抗匹配网络传输线分别与两个电容上电极连接；S5、将载体减薄抛光至100μm～150μm；S6、形成与匹配电阻连接的第一金属凸点，以及穿过第一接触孔与第一偏置网络传输线连接的第二金属凸点；S7、在二极管芯片背面的衬底上制作与二极管芯片有源区对应的微透镜；S8、采用倒装焊的方式将二极管芯片焊接在载体上，使第一金属凸点与二极管芯片的P极焊接连接，将第二金属凸点与二极管芯片的N极焊接连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法

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