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【发明授权】一种光谱选择性低发射率的红外隐身涂层及其制备方法和应用_哈尔滨工业大学_202310196455.4 

申请/专利权人:哈尔滨工业大学

申请日:2023-03-03

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN116430498B

主分类号:G02B5/28

分类号:G02B5/28;C23C14/34;C23C14/08;C23C14/10;G02B1/18

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权;2023.08.01#实质审查的生效;2023.07.14#公开

摘要:本发明公开了一种光谱选择性低发射率的红外隐身涂层及其制备方法和应用,属于功能薄膜材料及其制备技术领域。本发明解决现有红外隐身涂层存在耐温性差、阻碍辐射散热等技术问题。本申请提供的红外隐身涂层具有周期性多层膜结构,周期性多层膜结构由高折射率材料层和低折射率材料层组成,可实现在红外波段下选择性发射的效果。高折射率材料层和低折射率材料层均为红外波段的优选窗口材料,热匹配性较好,可以有降低涂层在红外波段的温度,残余热应力较小,且各层间具有优异的附着力,无互相渗透现象存在,膜层不易脱落。

主权项:1.一种红外隐身涂层,其特征在于,该涂层为两个层膜叠加结构,每个所述的层膜由高折射率材料层和低折射率材料层周期交替叠加而成,第一个层膜的中心波长为λ1,第二个层膜的中心波长为λ2;其中,3≤λ1≤5μm,8≤λ2≤14μm,第一层膜位于基底材料上,第二层膜位于第一层膜上;第一层膜从靠近衬底端开始依次为低折射率材料层SiO2层、高折射率材料层W层、低折射率材料层SiO2层和高折射率材料层W层;第一个层膜交替叠加的低折射率材料层SiO2层和高折射率材料层W层厚度从靠近衬底端开始依次为200±10nm、440±10nm、200±10nm、700±10nm;第二膜层从靠近衬底端开始依次为低折射率材料层SiO2层和高折射率材料层W层;第二个层膜的低折射率材料层SiO2层和高折射率材料层W层的厚度分别为340±10nm和110±10nm;高折射率材料层的折射率为3.8,低折射率材料层的折射率为1.4。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 哈尔滨工业大学 一种光谱选择性低发射率的红外隐身涂层及其制备方法和应用

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