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【发明授权】电迁移测试结构及电迁移测试方法_武汉新芯集成电路制造有限公司_202110112497.6 

申请/专利权人:武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日:2021-01-27

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN112864131B

主分类号:H01L23/544

分类号:H01L23/544;H01L21/66

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权;2021.06.15#实质审查的生效;2021.05.28#公开

摘要:本发明提供了一种电迁移测试结构及电迁移测试方法,所述电迁移测试结构包括:待测金属互连结构;第一感测电极,与所述待测金属互连结构的一端电性连接;第二感测电极,与所述待测金属互连结构的另一端电性连接;至少一个第三感测电极,至少与所述待测金属互连结构的两端之间的位置电性连接;第一加载电极,与所述第一感测电极电性连接;以及,第二加载电极,与所述第二感测电极电性连接。本发明的技术方案能够避免影响芯片区的布线设计,且能够进行晶圆级的快速测试以及能够快速判断出电迁移失效的具体位置。

主权项:1.一种电迁移测试结构,位于切割道区,其特征在于,所述电迁移测试结构包括:待测金属互连结构;第一感测电极,与所述待测金属互连结构的一端电性连接;第二感测电极,与所述待测金属互连结构的另一端电性连接;至少两个第三感测电极,至少与所述待测金属互连结构的两端之间的位置电性连接;第一加载电极,与所述第一感测电极电性连接;以及,第二加载电极,与所述第二感测电极电性连接;其中,所述待测金属互连结构包括待测金属层和位于所述待测金属层的两端的待测导电插塞,所述第一感测电极和所述第二感测电极分别与所述待测金属层的两端的待测导电插塞电性连接;每个所述第三感测电极的下方连接有至少两层的测试金属层和测试导电插塞,所述测试金属层的一端通过所述测试导电插塞至少与所述待测金属层的两端之间的位置电性连接,以使得能够判断出电迁移失效位置是位于所述待测金属层、所述待测导电插塞、所述测试金属层和所述测试导电插塞中的哪段中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉新芯集成电路制造有限公司 电迁移测试结构及电迁移测试方法

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