申请/专利权人：苏州芯捷联电子有限公司

申请日：2023-09-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220795711U

主分类号：G05F1/56

分类号：G05F1/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型涉及一种对电源电压低依赖性的偏置电流产生电路，包括：N3、N2与N1构成电流镜，把输入电流复制成两路偏置电流，N2中的电流用于产生PMOS共源共栅电流源的自偏置电压，即P1和P2的栅极电压，在上述两个栅极电压的作用下，P3和P4构成一个共源共栅电流源；N3中的电流给P5、P6构成的共源共栅放大器提供偏置，P6的栅极与P2的栅极连接，P5的栅极连接P4的漏极和P9的源极，P3和P4共源共栅电流源的电流经P9之后流入R2、N4、N5构成的自偏置电路，产生N4和N5的栅极电压。本申请解决了解决相关技术中当电源电压下降偏置电流之间存在偏差时会导致电路系统失调的问题，实现了在电源电压较大范围内变化时偏置电路提供的偏置电流能够较精确相等的效果。

主权项：1.一种对电源电压低依赖性的偏置电流产生电路，其特征在于，包括：NMOS管N1、NMOS管N2以及NMOS管N3的栅极连接、源极接地，N1的漏极和栅极连接电源电压；N2的漏极连接电阻R1的一端，R1的另一端连接P2的漏极，PMOS管P1的漏极连接PMOS管P2的源极，P1的源极连接电源电压，P1的栅极连接PMOS管P3的栅极以及所述R1的另一端，P2的栅极连接PMOS管P4的栅极以及所述R1的一端，P1和P2、P3和P4分别组成共源共栅电流源；PMOS管P6的栅极与P2的栅极以及所述R1的一端连接，PMOS管P5的栅极连接P4的漏极以及PMOS管P9的源极，P5的源极连接电源电压，P5的漏极连接P6的源极，P6的漏极连接P9的栅极以及N3的漏极；NMOS管N4和NMOS管N5组成共源共栅电流源，电阻R2的一端连接P9的漏极以及N4的栅极，R2的另一端连接N4的漏极以及N5的栅极，N4的源极连接N5的漏极，N5的源极接地。

全文数据：

权利要求：

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