申请/专利权人：成都莱普科技股份有限公司

申请日：2024-03-18

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912978A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本申请公开了一种快速判断激光解键合界面的方法，属于半导体技术领域。该方法包括：根据目标样片键合区域的膜层结构，选择腐蚀液，腐蚀液对膜层结构中不同膜层材料的腐蚀效率不同；测试激光解键合后所得的两个晶圆的表面电阻值，记录为R1和R2；利用腐蚀液对激光解键合后的两个晶圆进行湿法腐蚀，测试腐蚀后的两个晶圆的表面电阻值，记录为R’1和R’2；计算两个晶圆表面电阻值的差值，根据数值大小来判断解键合界面。该方法对于键合界面膜层结构较为复杂的情况，无需裂片，仅依靠腐蚀后上、下晶圆表面电阻的变化情况，即可锁定分开面具体是哪层。与传统的方法相比，可极大地缩短表征时间、减少表征成本、提高开发效率。

主权项：1.一种快速判断激光解键合界面的方法，其特征在于，其包括：根据目标样片键合区域的膜层结构，选择腐蚀液，所述腐蚀液对所述膜层结构中不同膜层材料的腐蚀效率不同；测试激光解键合后所得的两个晶圆的表面电阻值，记录为R1和R2；利用所述腐蚀液对激光解键合后的两个所述晶圆进行湿法腐蚀，测试腐蚀后的两个所述晶圆的表面电阻值，记录为R’1和R’2；计算两个所述晶圆表面电阻值的差值：ΔR1=R1-R’1，ΔR2=R2-R’2根据R1和R2、以及ΔR1和ΔR2的数值大小来判断解键合界面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都莱普科技股份有限公司 一种快速判断激光解键合界面的方法

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