申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912936A

主分类号：H01L21/027

分类号：H01L21/027;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开一种梯形凹槽的刻蚀方法及金属线条的制备方法，涉及半导体技术领域，以在利用电子束胶形成梯形凹槽时，能够对梯形凹槽的开口进行单独调整，从而提高梯形凹槽的形貌质量。所述梯形凹槽的刻蚀方法包括：在衬底上形成显影可溶层。在显影可溶层上形成电子束胶层。通过电子束对电子束胶层进行曝光处理。依次对电子束胶层以及显影可溶层进行显影处理，形成梯形凹槽；其中，梯形凹槽的底部开口大小是通过调整对显影可溶层的显影时间来实现的。所述金属线条的制备方法包括采用上述技术方案所提的刻蚀方法在衬底上形成梯形凹槽；向梯形凹槽内溅射金属；剥离电子束胶，形成金属线条。

主权项：1.一种梯形凹槽的刻蚀方法，其特征在于，包括：在衬底上形成显影可溶层；在所述显影可溶层上形成电子束胶层；通过电子束对所述电子束胶层进行低剂量曝光处理；依次对所述电子束胶层以及所述显影可溶层进行显影处理，形成梯形凹槽；其中，所述梯形凹槽的底部开口大小是通过调整对所述显影可溶层的显影时间来实现的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种梯形凹槽的刻蚀方法及金属线条的制备方法

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