申请/专利权人：日产化学株式会社

申请日：2020-02-13

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117908332A

主分类号：G03F7/027

分类号：G03F7/027;G03F7/031;G03F7/11;G03F7/20;G03F7/32;G03F7/38

优先权：["20190214 JP 2019-024794","20190411 JP 2019-075868"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：提供在半导体制造中的光刻工艺中使用的、保存稳定性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含主链中包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂。上述自由基捕获剂优选为具有环结构或硫醚结构的化合物。上述环结构优选为碳原子数6～40的芳香环结构或2,2,6,6‑四甲基哌啶结构。

主权项：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含二硫键的聚合物、自由基捕获剂、以及溶剂，所述自由基捕获剂选自萘衍生物、硫醚化合物、受阻胺化合物、紫外线吸收剂、抗氧化剂和热阻聚剂，所述抗氧化剂选自酚系抗氧化剂、受阻酚系抗氧化剂和亚磷酸酯系抗氧化剂，所述聚合物为具有至少1个二硫键的2官能以上的化合物A、与不同于所述化合物A的具有2个以上环氧基的化合物B的反应生成物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日产化学株式会社 包含自由基捕获剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物

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