申请/专利权人：北京大学

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117914479A

主分类号：H04L9/08

分类号：H04L9/08;G11C16/04;G11C16/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明一种物理不可克隆函数电路及其控制方法，属于半导体技术领域。本发明将存储应用和物理不可克隆函数应用集成在同一电路中，包括阵列电路、地址译码电路、驱动电路、参考电压产生电路和读取电路，阵列电路由单元电路沿横向、纵向重复排列而成，单元电路包含一个P型的带有漏端欠覆盖区的隧穿场效应晶体管作为写入管、一个N型的带有漏端欠覆盖区的隧穿场效应晶体管作为读出管和一个电容作为放大单元；读取电路包括多路选择器和差分放大器；驱动电路包括写入字线驱动电路、写入位线驱动电路、读出字线驱动电路、读出位线驱动电路和密钥产生线驱动电路。本发明能降低物理不可克隆函数电路的原始误码率、密钥泄漏风险和硬件代价。

主权项：1.一种物理不可克隆函数电路，其特征在于，包括阵列电路、驱动电路、参考电压产生电路、读取电路和地址译码电路，所述阵列电路由单元电路沿横向、纵向重复排列而成，所述驱动电路包括写入字线WWL驱动电路、写入位线WBL驱动电路、读出字线RWL驱动电路、读出位线RBL驱动电路和密钥产生线PUL驱动电路，所述读取电路包括两组多路选择器和差分放大器，一组为行上的多路选择器和差分放大器，另一组为列上的多路选择器和差分放大器，所述地址译码电路包括两个，一个用于连接所述驱动电路，给驱动电路提供输入信号，另一个用于连接所述读取电路的多路选择器，给多路选择器提供控制信号；所述单元电路包括一个P型的带有漏端欠覆盖区的隧穿场效应晶体管DLund-TFET作为写入管、一个N型的带有漏端欠覆盖区的隧穿场效应晶体管DLund-TFET作为读出管和一个电容作为放大单元，所述写入管、读出管和电容放大单元相互连接共同构成存储节点SN，其中，写入管P型DLund-TFET的源极连接存储节点SN，栅极连接写入字线WWL，漏极连接写入位线WBL，读出管N型DLund-TFET的源极连接密钥产生线PUL，栅极连接SN，漏极连接读出位线RBL，电容放大单元的一端连接SN，另一端连接读出字线RWL；所述阵列电路中，同一行上，所有单元电路的写入字线WWL连接在一起、读出字线RWL连接在一起、密钥产生线PUL连接在一起；同一列上，所有单元电路的写入位线WBL连接在一起、读出位线RBL连接在一起；所有行上的写入字线WWL通过写入字线WWL驱动电路连接地址译码电路，所有行上的读出字线RWL通过读出字线RWL驱动电路连接地址译码电路；所有列上的写入位线WBL通过写入位线WBL驱动电路连接地址译码电路，所有列上的读出位线RBL通过读出位线RBL驱动电路连接地址译码电路的同时，其另一端连接列上的多路选择器，该多路选择器的控制信号来自于地址译码电路，该控制信号用于控制多路选择器输出某一列读出位线RBL的电压，再将该电压输入列上的差分放大器，该差分放大器的另一个输入端连接参考电压产生电路的输出端；所有行上的密钥产生线PUL通过密钥产生线PUL驱动电路连接地址译码电路的同时，其另一端连接行上的多路选择器，该多路选择器的控制信号来自于地址译码电路，该控制信号用于控制多路选择器输出特定的某两行密钥产生线PUL的电压作为OUT0和OUT1，再将OUT0和OUT1输入行上的差分放大器中进行比较。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种物理不可克隆函数电路及其控制方法

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