申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-03-20

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117915663A

主分类号：H10B41/30

分类号：H10B41/30;H10B41/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供一种闪存及其制作方法。所述闪存的制作方法包括：提供基底，基底的有源区包括多个存储单元区以及源线区，源线区的基底顶部形成有源线沟槽；在源线沟槽内填充牺牲层；在基底上形成多个浮栅条；在基底上形成极间介质层；在基底上形成控制栅材料层，控制栅材料层覆盖极间介质层；对控制栅材料层、极间介质层和浮栅条进行图形化刻蚀以形成栅极结构，其中，在刻蚀源线沟槽上方的浮栅条之间的极间介质层时进行过刻蚀并停止于牺牲层，以避免源线沟槽上方的浮栅条的靠近极间介质层底部的部分残留。如此可以改善存储单元之间的漏电问题，且不会损伤基底。所述闪存利用上述的闪存的制作方法制成。

主权项：1.一种闪存的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括有源区，所述有源区包括多个存储单元区以及源线区，所述源线区隔断多个所述存储单元区，所述源线区的基底顶部形成有源线沟槽；在所述源线沟槽内填充牺牲层；在所述基底上形成多个浮栅条，多个所述浮栅条覆盖多个所述存储单元区以及覆盖部分所述牺牲层；在所述基底上形成极间介质层，所述极间介质层覆盖多个所述浮栅条以及所述牺牲层；在所述基底上形成控制栅材料层，所述控制栅材料层覆盖所述极间介质层；对所述控制栅材料层、所述极间介质层和所述浮栅条进行图形化刻蚀以形成栅极结构，其中，在刻蚀所述源线沟槽上方的所述浮栅条之间的极间介质层时进行过刻蚀并停止于所述牺牲层，以避免所述源线沟槽上方的浮栅条的靠近所述极间介质层底部的部分残留；以及在所述源线区形成源线，所述源线与多个所述存储单元区电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 闪存及其制作方法

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