申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2020-02-18

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN111584360B

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311

优先权：["20190218 JP 2019-026951","20200204 JP 2020-016826"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2020.08.25#公开

摘要：本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步骤；和使上述基片的表面温度上升，使通过上述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。本发明能够提高蚀刻速率。

主权项：1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将所述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在所述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻所述氧化硅膜的步骤；和使所述基片的表面温度上升，使通过所述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤，在使所述副生成物挥发的步骤中，包括通过所述基片的背面与所述载置台之间的空间的压力、和供给到所述载置台的偏置高频电功率，来控制所述基片的表面温度的步骤。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法

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