申请/专利权人：长春理工大学

申请日：2021-10-26

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN114204419B

主分类号：H01S5/343

分类号：H01S5/343;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/42

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要：高性能高质量InGaAsInGaAsP多量子阱的外延结构及其生长方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明提供了InGaAsInGaAsP多量子阱的外延结构以GaAsInGaAsInGaAsPInGaP为材料体系，采用生长中断技术，通过外延生长装置层叠生长得到的，生长中断过程中关闭V族源的As和P源，通入氢气带走反应室中残存的V族气体，生长中断时间为5～40s。该外延结构包括依次层叠的衬底、缓冲层、下势垒层、下插入层、势阱层、上插入层和上势垒层。本发明在不破坏结构，抑制InGaAsP势垒层中P原子向InGaAs势阱层扩散，减少界面粗糙度增加，获得高质量和光学性质的多量子阱外延结构。

主权项：1.高性能高质量InGaAsInGaAsP多量子阱的外延结构，其特征在于所述InGaAsInGaAsP多量子阱的外延结构以GaAsInGaAsInGaAsPInGaP为材料体系，采用生长中断技术，通过外延生长装置层叠生长得到的，所述生长中断过程中关闭V族源的As和P源，通入氢气带走反应室中残存的V族气体，生长中断时间为5～40s；所述生长中断的时机为：在所述GaAs缓冲层上进行生长中断、在InGaAsP下势垒层上进行生长中断、在GaAs上插入层进行生长中断。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长春理工大学 高性能高质量InGaAs/InGaAsP多量子阱的外延结构及其生长方法和应用

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