申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所

申请日：2021-08-27

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN113793814B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.12.31#实质审查的生效;2021.12.14#公开

摘要：本发明公开了一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤的方法，本发明所述方法能够有效对预设碲镉汞芯片的电极沉积损伤进行表征，从而优化电极生长条件，减少电极沉积损伤，最终提高了碲镉汞红外探测器的性能。

主权项：1.一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤的方法，其特征在于，包括：测定预设碲镉汞芯片在未沉积金属前的载流子浓度，其中，所述预设碲镉汞芯片为n型碲镉汞芯片或p型碲镉汞芯片；在所述预设碲镉汞芯片的整个表面上生长金属电极，并测量所述预设碲镉汞芯片在沉积金属后的载流子浓度；即在所述预设碲镉汞芯片的整个表面上生长金属电极之后，测量所述预设碲镉汞芯片在沉积金属后的载流子浓度之前，所述方法还包括：利用化学法将金属电极剥离，通过引线焊接到所述预设碲镉汞芯片的四个角，并对所述预设碲镉汞芯片进行测试，以确定电极的线性接触满足预设接触要求；所述通过引线焊接到所述预设碲镉汞芯片的四个角，并对所述预设碲镉汞芯片进行测试，包括：通过引线焊接到所述预设碲镉汞芯片的四个角，并确保引线焊接的位置与沉积金属前的焊接位置一致，然后对所述预设碲镉汞芯片进行测试；判断所述预设碲镉汞芯片在沉积金属后的载流子浓度与在未沉积金属前的载流子浓度的变化增量是否大于预设浓度阈值，如果是，则判定预设碲镉汞芯片的电极沉积损伤过大，会影响所述预设碲镉汞芯片的器件加工工艺；所述测定预设碲镉汞芯片在未沉积金属前的载流子浓度之前，所述方法还包括：对所述预设碲镉汞芯片进行预处理，并对预处理后的所述预设碲镉汞芯片进行测试；对预处理后的所述预设碲镉汞芯片进行测试，包括：通过引线焊接到所述预设碲镉汞芯片的四个角，并对所述预设碲镉汞芯片进行测试，以确定电极的线性接触满足预设接触要求。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤的方法

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