申请/专利权人：广东技术师范大学

申请日：2023-08-03

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN116682907B

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2023.09.19#实质审查的生效;2023.09.01#公开

摘要：本发明公开了一种基于AlGaN的多量子阱层及深紫外发光二极管。所述基于AlGaN的多量子阱层设置于p型电子阻挡层之下，最后一层量子势垒层在距离p型电子阻挡层还有10～12nm处开始阶梯渐变Al组分，从0.56依次阶梯递减至0.48，再依次阶梯递增至0.56，每个阶梯渐变量相同，而其中最后一个子量子势垒层的Al组分增加至0.64，同时相关子量子势垒层的厚度满足特定条件，从而能够提高空穴注入、减轻量子限制斯塔克效应和有效利用多量子阱中载流子分布不均匀这个特性，提高载流子辐射复合效率，进而提高基于AlGaN的深紫外发光二极管的内量子效率。

主权项：1.一种基于AlGaN的多量子阱层，设置于p型电子阻挡层之下，其特征在于，包括M层量子阱层和M+1层量子势垒层；M大于或等于3；所述量子阱层和量子势垒层交替层叠设置；所述M层量子阱层的材料均为Al0.46Ga0.64N；第1~M层量子势垒层的材料均为Al0.60Ga0.40N；第M+1层量子势垒层的材料为AlxGa1-xN，x表示Al的组分含量；第M+1层量子势垒层包括N层子量子势垒层；N等于7；第1层子量子势垒层设于第M层量子阱层之上；所述第1层子量子势垒层的材料为Al0.60Ga0.40N；第N层子量子势垒层的材料中Al的组分含量x等于p型电子阻挡层中Al组分含量；所述p型电子阻挡层材料为Al0.64Ga0.36N；对于第1层~第N层子量子势垒层，x的取值依次为0.60、0.56、0.52、0.48、0.52、0.56、0.64；第2层~第N层子量子势垒层的厚度之和为12nm，且满足以下条件：令x为0.48的子量子势垒层为第N0层，其厚度为x0；则第1层~第N0-1层，第N0+1层~第N层子量子势垒层的厚度之和不等于2x0。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东技术师范大学 一种基于AlGaN的多量子阱层和深紫外发光二极管

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