申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-02-06

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117727773B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件，涉及半导体器件领域。其中，GaN基HEMT外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的高阻层、沟道层、势垒层和盖帽层；所述高阻层包括依次层叠于所述衬底上的第一子层和第二子层；所述第一子层包括交替层叠的P型AlGaN层和Ga2O3层，所述第二子层包括交替层叠的BGaN层和AlGa2O3层。实施本发明，可有效减少漏电通道，提升器件可靠性。

主权项：1.一种GaN基HEMT外延片，包括衬底，依次层叠于衬底上的高阻层、沟道层、势垒层和盖帽层；其特征在于，所述高阻层包括依次层叠于所述衬底上的第一子层和第二子层；所述第一子层包括交替层叠的P型AlGaN层和Ga2O3层，其周期数为5~15；所述P型AlGaN层的厚度为10nm~30nm，其掺杂浓度为1×1015cm-3~1×1018cm-3，Al组分占比为0.2~0.7；所述Ga2O3层的厚度为10nm~30nm；所述第二子层包括交替层叠的BGaN层和AlGa2O3层，其周期数为5~15；所述BGaN层的厚度为5nm~20nm，其B组分占比为0.1~0.3；所述AlGa2O3层的厚度为15nm~30nm，其Al组分占比为0.2~0.7。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件

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