申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-03-10

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN113092975B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.07.27#实质审查的生效;2021.07.09#公开

摘要：本发明公开了一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，包含：步骤1，首先确定BV测试时的首尾测试项目的漏电流值I0及I0’，根据产品的BV特性曲线确定一个漏电流测试值It；步骤2，确定Stress测试的强度测试电流Istress；获得施加强度测试电流Istress时的测试总时间极值Tstress；步骤3，确定Stress测试的每一步测试时间Tstep；步骤4，确定Stress测试的重复测试次数n，即测试的步数。本发明在BVDSS@250uA的传统测试项目之前增加一套BVDSS强度Stress测试方案，以获得更多的BVDSS特性参数，可以去根据产品特性减少BVDSS强度测试流程数，提高测试效率。

主权项：1.一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：包含如下的步骤：步骤1，首先确定BV测试时的首尾测试项目的漏电流值I0及I0’，根据产品的BV特性曲线确定一个漏电流测试值It；步骤2，确定Stress测试的强度测试电流Istress；获得施加强度测试电流Istress时的测试总时间极值Tstress；所述的强度测试电流Istress的值是根据产品的特性，抓取源漏之间的漏电流测试值It的特性波形曲线来获得；通过BV测试波形和耐久性测试获得的值来综合得出强度测试总时间为Tstress，即所述Tstress是通过波形获取软件和外挂实物示波器两者结合的方式去收集器件在测试过程中的测量值波形，然后分析波形去获得这个值；步骤3，确定Stress测试的每一步测试时间Tstep；述的确定Stress测试的每一步测试时间Tstep，由于不同测试机台的Tstep各不相同，通过利用抓取BV测试波形的方法获取；步骤4，确定Stress测试的重复测试次数n，即测试的步数，将整个测试划分为多步来完成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法

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