申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-04-08

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN113495424B

主分类号：G03F1/36

分类号：G03F1/36;G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库；提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的第一分类数据；根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据。由于在半导体制程中，对伪结构层的光学邻近修正精度要求较低，因此可以采用比对获取所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法来进行修正处理，通过这种光学邻近修正流程能够有效的减少对所述待修正图形的计算时间，进而有效的提升了对所述待修正图形的修正效率。

主权项：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供参考版图，所述参考版图包括若干参考图形；根据所述参考版图获取图形修正数据库，所述图形修正数据库中包括：每个所述参考图形对应的第二分类数据、以及每个所述参考图形对应的第二光学邻近修正数据；提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分类，获取每个所述待修正图形的第一分类数据，所述待修正图形的第一分类数据包括：尺寸分类数据和环境分类数据；根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据；其中，根据所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库进行对比，获取每个所述待修正图形的第一光学邻近修正数据的方法包括：当获取的所述待修正图形的第一分类数据与所述图形修正数据库中一个参考图形的第二分类数据相同时，则所述待修正图形的第一光学邻近修正数据为所述参考图形的第二光学邻近修正数据。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD