申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN220812602U

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/50;H01L21/67;H01L21/683

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权

摘要：本实用新型提供了一种晶圆的溅射设备及半导体机台，包括：腔室主体；基座，设于所述腔室主体内，所述基座上放置晶圆；靶材，设于所述腔室主体内；以及磁场调节组件，设于所述靶材的一侧，所述磁场调节组件包括至少一个电磁铁与调节结构，所述调节结构带动所述电磁铁在水平方向上转动和或在竖直方向上移动。通过本实用新型公开的一种晶圆的溅射设备及半导体机台，能够提高靶材利用率。

主权项：1.一种晶圆的溅射设备，其特征在于，包括：腔室主体；基座，设于所述腔室主体内，所述基座上放置晶圆；靶材，设于所述腔室主体内；以及磁场调节组件，设于所述靶材的一侧，所述磁场调节组件包括至少一个电磁铁与调节结构，所述调节结构带动所述电磁铁在水平方向上转动和或在竖直方向上移动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种晶圆的溅射设备及半导体机台

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