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申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司
申请日：2022-12-15
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN116041047B
主分类号：C04B35/01
分类号：C04B35/01;C04B35/622;C23C14/35;C23C14/08
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2023.05.19#实质审查的生效;2023.05.02#公开
摘要：本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法。所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成；所述IZO掺杂靶材中Zn与In的原子比为ZnZn+In＝0.1％～7％；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓。所述制备方法为：将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，得到浆料；将所得浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末，然后经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材。本发明IZO掺杂靶材具有较低的ZnO加入量，且掺杂元素具有更多的选择，同时能够达到较高的致密度和导电性。
主权项：1.一种溅镀用IZO掺杂靶材的制备方法，其特征在于，所述IZO掺杂靶材由氧化铟、氧化锌和掺杂氧化物组成，其中Zn与In的原子比为ZnZn+In=0.1%~7%；所述掺杂氧化物为氧化钽、氧化铈、氧化钛、氧化锗或氧化镓；所述制备方法包括如下步骤：（1）将氧化铟粉末、氧化锌粉末、掺杂氧化物粉末与水、分散剂和粘结剂混合制浆，通过细磨分别得到粒度0.3μm＜D50＜0.5μm，0.75μm＜D90＜1μm的大颗粒浆料和粒度0.15μm＜D50＜0.3μm，0.5μm＜D90＜0.75μm的小颗粒浆料；（2）将步骤（1）所得大颗粒浆料和小颗粒浆料按质量比为1~4:1混合得到混合浆料；（3）将步骤（2）所得混合浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉末；（4）将步骤（3）所得造粒粉末经过干压和冷等静压后，进行常压烧结，得到所述溅镀用IZO掺杂靶材；所述IZO掺杂靶材的质量百分含量组成为：氧化铟95.58%~99.74%，氧化锌0.06%~4.22%，掺杂氧化物≤0.2%。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种溅镀用IZO掺杂靶材及其制备方法
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