申请/专利权人:郑州大学
申请日:2024-01-22
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117926194A
主分类号:C23C14/34
分类号:C23C14/34;C04B35/01;C04B35/622;C04B35/453;C04B35/63
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要:本发明公开了稀土掺杂IZO氧化物靶材及其制备方法,涉及氧化物靶材技术领域;其成分包括:稀土氧化物、氧化铟和氧化锌;其中,该靶材的R、In和Zn的原子比例满足以下关系:RxIn24‑xZn36O72R=Pr、Nd、Tb,x=1、2、3、4、5、6。本发明选择IZOIn2ZnkOk+3中本征导电率最好的In2Zn3O6为靶材主体材料,通过掺杂微量稀土元素后不会明显降低主体材料原来导电率,同时提高了作为TFT使用的稳定性。由于使用了大量氧化锌代替了氧化铟的使用量,本发明提供的稀土掺杂IZO氧化物靶材及其制备方法具有高性能和原料成本低的特点。
主权项:1.稀土掺杂IZO氧化物靶材,其特征在于,其成分包括:稀土氧化物、氧化铟和氧化锌;其中,该靶材的R、In和Zn的原子比例满足以下关系:RxIn24-xZn36O72R=Pr、Nd、Tb,x=1、2、3、4、5、6。
全文数据:
权利要求:
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