申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2023-05-16

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117939876A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20221025 US 17/973,202"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本申请提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、多个电容器，以及一第一支撑层。该多个电容器设置于该基底上。每个电容器都沿着一第一方向延伸。该多个电容器中的每一个包括一第一电容器电极、一第二电容器电极，以及将该第一电容器电极与该第二电容器电极分开的一电容器介电质。该第一支撑层设置于该基底上。该第一支撑层沿不同于该第一方向的一第二方向延伸。该电容器介电质包括一第一表面及一第二表面，沿该第一方向设置于该电容器介电质的两个相对的侧面上。该第二表面被该第一电容器电极曝露。该第一支撑层设置于该电容器介电质的该第一表面与该第二表面之间。

主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；多个电容器，设置于该基底上，其中每个电容器都沿着一第一方向延伸，其中该多个电容器中的每一个包括一第一电容器电极、一第二电容器电极，以及将该第一电容器电极与该第二电容器电极分开的一电容器介电质，以及一第一支撑层，设置于该基底上，并沿不同于该第一方向的一第二方向延伸，其中该电容器介电质包括一第一表面及一第二表面，沿该第一方向设置于该电容器介电质的两个相对的侧面上，该第二表面被该第一电容器电极曝露，该第一支撑层设置于该电容器介电质的该第一表面与该第二表面之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 半导体元件

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