申请/专利权人：高网科技股份有限公司

申请日：2022-10-11

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936521A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H10N97/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种单晶微波集成电路电容结构，适用于设置在一单晶微波集成电路MMIC中，其包含一第一电容电极、一电容介电结构及一第二电容电极，该电容介电结构包括一第一介电层、一导电层及一第二介电层，该单晶微波集成电路电容结构为叠接串联结构，用于提高电容的崩溃电压。

主权项：1.一种单晶微波集成电路电容结构，适用于设置在一单晶微波集成电路中，其特征在于，包含：一第一电容电极；一电容介电结构，包括：一第一介电层，与该第一电容电极连接；一导电层，与该第一介电层连接，并与该第一电容电极电性断路；一第二介电层，与该导电层连接；一第二电容电极，与该第二介电层连接，并与该第一电容电极及该导电层电性断路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高网科技股份有限公司 单晶微波集成电路电容结构

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