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【发明公布】一种基于铁基纳米晶磁芯的容感一体化磁耦合机构_华南理工大学_202311742617.6 

申请/专利权人:华南理工大学

申请日:2023-12-18

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117936236A

主分类号:H01F27/24

分类号:H01F27/24;H02J50/12;H02J50/00;H01F27/25;H01F27/34;H01F27/40;H01G4/33;H01G4/14;H01G4/005

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明提出的一种基于铁基纳米晶磁芯的容感一体化磁耦合机构,包括发射侧磁耦合机构、接收侧磁耦合机构,所述发射侧磁耦合机构、接收侧磁耦合机构均为由铁基纳米晶带和有机绝缘薄膜交错叠压构成的屏蔽层,屏蔽层上设有双D线圈,双D线圈和屏蔽层构成双D线圈组,两个D线圈反向串联,使其流入线圈的电流方向相反,从而等效为磁铁的南北极,为磁通提供闭合磁路;双D线圈组将谐振补偿电路中的电感与电容同时集成于磁耦合机构内,该机构主要应用于无线电能传输系统,本发明将谐振电容集成于磁芯之中,取代传统谐振变换器中昂贵的薄膜电容,提升系统功率密度与经济性。

主权项:1.一种基于铁基纳米晶磁芯的容感一体化磁耦合机构,其特征在于,包括发射侧磁耦合机构、接收侧磁耦合机构;电能通过发射侧磁耦合机构产生的交变磁场传递到接收侧磁耦合机构;所述发射侧磁耦合机构、接收侧磁耦合机构均包含屏蔽层,所述屏蔽层包括铁基纳米晶带和有机绝缘薄膜,铁基纳米晶带和有机绝缘薄膜交错叠压;所述屏蔽层上设有双D线圈,双D线圈和屏蔽层构成双D线圈组,两个D线圈反向串联,使其流入线圈的电流方向相反,从而等效为磁铁的南北极,为磁通提供闭合磁路;双D线圈组将谐振补偿电路中的电感与电容同时集成于磁耦合机构之内。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华南理工大学 一种基于铁基纳米晶磁芯的容感一体化磁耦合机构

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