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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
申请日：2023-11-30
公开（公告）日：2024-04-26
公开（公告）号：CN117935890A
主分类号：G11C29/10
分类号：G11C29/10;G11C29/50;G11C29/56
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开
摘要：本发明提供了一种TSV工艺重构DDR存储器超薄晶圆的ATE测试方法，首先对TSV工艺重构后的超薄晶圆进行测试前预处理可以缓解超薄晶圆的翘曲形变问题，避免在自动测试过程中可能导致的晶圆损伤，然后通过设计制作适配高速DDR存储器芯片的测试探针卡，设计高速DDR存储器芯片的测试向量，再基于高速DDR存储器芯片的测试向量，使用测试探针卡和ATE数字信号测试设备对DDR存储器芯片进行验证，基于自动探针台和通用型ATE进行测试，整个自动测试程序未使用存储器专用的算法向量生成模块APG且能够在2s内完成每颗重构芯片的验证同时降低对存储器专用ATE的使用需求，提高自动化测试过程的泛用性，测试成本较低，测试效率高，适用于TSV重构超薄晶圆的快速批量验证。
主权项：1.一种TSV工艺重构DDR存储器超薄晶圆的ATE测试方法，其特征在于，包括：对TSV工艺重构后的超薄晶圆进行测试前预处理；设计制作适配高速DDR存储器芯片的测试探针卡；设计高速DDR存储器芯片的测试向量；基于高速DDR存储器芯片的测试向量，使用测试探针卡和ATE数字信号测试设备对DDR存储器芯片进行验证。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种TSV工艺重构DDR存储器超薄晶圆的ATE测试方法
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