申请/专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司;南昌实验室

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936665A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L27/15

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开一种垂直结构MicroLED显示器件制备方法，包括S1、半导体层制备；S2、将半导体层转移至MicroLED基板；S3、MicroLED阵列制备；S4、第一电极制备；S5第二电极制备。步骤S2采用面对面键合将半导体层转移至MicroLED基板，无需制备金属凸点，无需对准键合，避免了现有单片集成方案需要将金属凸点对准键合的难点，在键合前未采用刻蚀等工艺，半导体表面平整，无需采用电极垫高等工艺，减少了制备过程中光刻次数，降低了制备难度。在键合前未采用刻蚀等工艺，半导体表面平整，因此键合金属层的厚度较薄，降低了键合金属用量，能在一定程度上降低制造成本。

主权项：1.一种垂直结构MicroLED显示器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、半导体层制备：在一次衬底上依次制备第二半导体层、有源层、第一半导体层；S2、将半导体层转移至MicroLED基板：在所述第一半导体层上制备第一键合金属层；准备MicroLED基板，在所述MicroLED基板上制备第二键合金属层，采用面对面键合将第一键合金属层与第二键合金属层键合，并去除一次衬底；S3、MicroLED阵列制备：在第二半导体层表面制备图形化光刻胶，对半导体层进行图形化刻蚀，制备MicroLED阵列；S4、第一电极制备：在MicroLED阵列上制备钝化层，钝化层完全覆盖MicroLED阵列上表面与侧壁，通过光刻工艺和刻蚀工艺对第一键合金属层及第二键合金属层进行图形化刻蚀制备第一电极；S5、第二电极制备：在MicroLED阵列之间的空隙制备空隙填充层，对MicroLED阵列上表面的钝化层进行开孔，露出待制备第二电极区域的第二半导体层，制备与第二半导体层接触的第二电极。

全文数据：

权利要求：

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