申请/专利权人:ALD真空技术有限公司
申请日:2022-09-19
公开(公告)日:2024-04-26
公开(公告)号:CN117940232A
主分类号:B22C7/02
分类号:B22C7/02;F27D11/06;C22B9/04;C22B9/00;B22D39/00;B22D23/06;B22D18/06;B22C9/04
优先权:["20210928 DE 102021125159.1"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.04.26#公开
摘要:本发明关于一种用以制造包膜铸造部件的装置10,其包括一熔化室12,该熔化室具有一感应线圈总成14,114,214,314,设置于该熔化室12中,其中该感应线圈总成14,114,214,314是适应于熔掉至少部分地收容于该熔化室中的一电极18,以制造出具有一至少2.5公斤分钟的熔体流率MFR的一无陶瓷连续熔体喷流40。该装置尚包括一铸造室20,位于该熔化室12的下游且连接至该熔化室,具有一包膜铸造模,该包膜铸造模被收容或可收容于该铸造室中,以通过该无陶瓷连续熔体喷流40填充。
主权项:1.一种用以制造包膜铸造部件的装置10,其包括:一熔化室12,包括一感应线圈总成14,114,214,314,该感应线圈总成14,114,214,314是设置于该熔化室12中且适用于熔掉至少部分地收容于该熔化室12中的一电极18,以制造出具有一至少2.5公斤分钟的熔体流率MFR的一无陶瓷连续熔体喷流40;及一铸造室20,位于该熔化室12的下游且连接至该熔化室12,且包括一包膜铸造模,该包膜铸造模被收容或可收容于该铸造室20中,以通过该无陶瓷连续熔体喷流40填充。
全文数据:
权利要求:
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