申请/专利权人：上海芯钬量子科技有限公司

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117935967A

主分类号：G16C20/30

分类号：G16C20/30;G16C60/00;G06F30/20;G06F119/02;G06F119/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提供了一种基于掺杂效应的SiC材料精确迁移率确定方法及系统，该方法包括：获取基于掺杂效应的SiC材料的掺杂浓度参数及温度参数；将掺杂浓度参数及温度参数输入预先训练的改进Caughey‑Thomas迁移率模型，仿真得到SiC材料迁移率。本发明实施例中考虑了SiC材料的特殊物理机制，引入温度对载流子受到杂质离子发生散射程度的影响，提高了模型对SiC材料迁移率仿真的准确性；以及，更新了模型参数，提高了仿真中SiC材料迁移率的精确性，提高了SiC器件仿真的可靠性。

主权项：1.一种基于掺杂效应的SiC材料精确迁移率确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取基于掺杂效应的SiC材料的掺杂浓度参数及温度参数；将所述掺杂浓度参数及所述温度参数输入预先训练的改进Caughey-Thomas迁移率模型，仿真得到所述SiC材料迁移率；其中，改进Caughey-Thomas迁移率模型的表达式如下： 其中，为迁移率，Ni表示总掺杂浓度，αn,p、βn,p、γn,p、θn,p均为拟合参数，T表示温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海芯钬量子科技有限公司 基于掺杂效应的SiC材料精确迁移率确定方法及系统

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