申请/专利权人：无锡宇邦半导体科技有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117926405A

主分类号：C30B28/06

分类号：C30B28/06;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明涉及半导体生产设备相关技术领域，具体为一种半导体生产加工用分层渐冷式成型设备，半导体生产加工用分层渐冷式成型设备包括底座、一级坩埚体和二级坩埚体，底座上固定安装直线导轨；通过在一级坩埚体上开设一级成型腔、一级换热腔、一级活塞腔和二级活塞腔，并在二级坩埚体上开设二级成型腔和二级换热腔，并将一级换热腔、二级换热腔均等间距设置多层，并通过一级活塞、二级活塞的运动，以控制高温气体与低温气体的分布区间，以让一级成型腔、二级成型腔之中的物料由下层向上层进行逐层冷却，以避免晶体由上至下生长而导致晶体内部应力较大且无法消除的问题，从而有效提高所加工成半导体光学性能及电学性能。

主权项：1.一种半导体生产加工用分层渐冷式成型设备，其特征在于：所述半导体生产加工用分层渐冷式成型设备包括：底座（1），所述底座（1）上固定安装直线导轨（4），且底座（1）上位于直线导轨（4）的前端安装有液压机构安装架（25），所述液压机构安装架（25）上固定安装有液压组件（26）；一级坩埚体（2），所述一级坩埚体（2）通过固定座（5）固定在底座（1）上，且一级坩埚体（2）上开设有一级成型腔（7），所述一级坩埚体（2）上位于一级成型腔（7）的周边布设有一级换热腔（9），所述一级成型腔（7）上留有注料口（33）；二级坩埚体（3），所述二级坩埚体（3）通过移动座（6）活动安装在直线导轨（4）上模，且二级坩埚体（3）与液压组件（26）的液压杆相连接，所述二级坩埚体（3）上开设有二级成型腔（8），所述二级成型腔（8）与一级成型腔（7）相对应设置，所述二级坩埚体（3）上位于二级成型腔（8）的周边布设有二级换热腔（10）；所述一级坩埚体（2）上开设有一级活塞腔（11）和二级活塞腔（12），所述一级活塞腔（11）、二级活塞腔（12）之中分别活动设置有一级活塞（21）和二级活塞（22），所述一级活塞（21）、二级活塞（22）的上端均安装有连杆（23），且一级活塞腔（11）、二级活塞腔（12）的端口均固定安装有限位环（24），所述连杆（23）通过驱动结构进行上下驱动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡宇邦半导体科技有限公司 一种半导体生产加工用分层渐冷式成型设备

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