申请/专利权人：湖南工业大学

申请日：2024-01-31

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936574A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种具有自适应浮空分裂栅IGBT的器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的IGBT器件结构在传统载流子存储沟槽栅双极晶体管结构CSTBT的基础上，在沟槽中集成了栅极、分裂栅和P型结型场效应晶体管P‑JFET，栅极与P‑JFET相互耗尽，可以大幅降低米勒电容CGC从而降低开关损耗；在AFSG‑IGBT导通时，P‑JFET的沟道被夹断使分裂栅保持在浮空状态，从而保证足够的注入增强效应；研究结果可为提高IGBT的效率提供重要的理论参考。

主权项：1.一种具有自适应浮空分裂栅IGBT的器件，包括从下至上依次层叠设置的金属集电极、P+半导体集电区、FS截止区、N-漂移区，所述N-漂移区的顶层两侧对称设置两个第一P-body区，其特征在于：每个第一P-body区的顶层均设置一个金属发射极，每个第一P-body区的顶层与金属发射极之间均具有一个P+基区和一个N+发射区，且N+发射区位于P+基区内侧；所述N-漂移区顶层中间设有内凹沟槽，第三栅极结构沿器件水平方向横置于内凹沟槽中，所述第三栅极结构包括第三栅电极、包裹在第三栅电极底部和四周的第一氧化层，两个第一P-body区之间的区域两侧对称设有两个第二栅极结构，两个第二栅极结构沿器件垂直方向对称设于内凹沟槽上部两侧，每个第二栅极结构均包括第二栅电极和包裹在第二栅电极外部的第二氧化层，两个第二栅极结构之间设有顶部P-JEFT结构，顶部P-JEFT结构顶部设有第一栅电极；所述第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极形成分裂栅结构，第二栅电极、第二氧化层、第三栅电极、第一氧化层形成浮空栅结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南工业大学 一种具有自适应浮空分裂栅IGBT的器件

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