申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117937240A

主分类号：H01S5/20

分类号：H01S5/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上波导层与上限制层之间设置有空穴注入层，所述空穴注入层具有介电常数分布、压电极化系数分布、自发极化系数分布和禁带宽度分布特性。本发明能够提升空穴注入层的Mg溶解度和空穴迁移率，降低受主补偿效应，提升注入有源层的空穴浓度和空穴输运效率，提升激光器的峰值增益和增益均匀性，降低阈值电流和提升斜率效率，同时，降低激光器的光吸收损耗，改善高浓度载流子浓度起伏引起的折射率色散，提升激光器的限制因子和模式增益。

主权项：1.一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上波导层与上限制层之间设置有空穴注入层，所述空穴注入层具有介电常数分布、压电极化系数分布、自发极化系数分布和禁带宽度分布特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体激光器

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