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【发明公布】一种基于热电效应的新型热式流量计及其制备方法_电子科技大学_202410074939.6 

申请/专利权人:电子科技大学

申请日:2024-01-18

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117928670A

主分类号:G01F1/684

分类号:G01F1/684;G01F1/69;G01F1/692

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明涉及传感器技术领域,具体为一种基于热电效应的新型热式流量计及其制备方法。本发明基于热电效应,通过将电发热薄膜、绝缘薄膜和热电敏感薄膜生长在倾斜单晶基片上,开创性地将加热器和传感器集成为三维叠层结构,通过电发热薄膜发热,流体流动产生热流信号,热电敏感薄膜产生与热流对应的纵向温度梯度,产生横向热电势;当流体时静止的,热电敏感薄膜上下表面温差很小,输出稳定的热电势小信号;当流体运动时,ALTP热电敏感薄膜上下表面温差会增大,输出的电势也会增大,流体的流速越大,ALTP热电敏感薄膜产生的电势也会越大,属于流速型流量传感器。本发明有效解决了现有热式流量计响应慢、集成度低的问题。

主权项:1.一种基于热电效应的新型热式流量计,其特征在于:包括倾斜单晶基片、电发热薄膜、绝缘薄膜、ALTP热电敏感薄膜和引出电极;所述倾斜单晶基片上依次生长:电发热薄膜、绝缘薄膜和ALTP热电敏感薄膜,或ALTP热电敏感薄膜、绝缘薄膜和电发热薄膜;形成叠层结构;所述绝缘薄膜将电发热薄膜和ALTP热电敏感薄膜绝缘隔离;其中,ALTP热电敏感薄膜厚度为15nm-5um,电发热薄膜厚度为15nm-15um,绝缘薄膜厚度为50nm-20um;所述电发热薄膜和ALTP热电敏感薄膜的两端均分别设有引出电极,共通过4根导线进行引出。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 电子科技大学 一种基于热电效应的新型热式流量计及其制备方法

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