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【发明公布】一种基于双离散忆阻器的映射方法_新疆大学_202310985723.0 

申请/专利权人:新疆大学

申请日:2023-08-07

公开(公告)日:2024-04-26

公开(公告)号:CN117933323A

主分类号:G06N3/063

分类号:G06N3/063;G06F30/32;G06F111/10;G06F119/14

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要:本发明公开了一种基于双离散忆阻器的映射方法,涉及忆阻器技术领域,本发明使用两个周期型离散忆阻器去构造两种新型的双忆阻器超混沌映射模型:同构正弦‑正弦离散忆阻器SSDM映射和异构正弦‑余弦离散忆阻器SCDM映射;映射具有平面固定点并且稳定性分布在参数和初值平面根据第二个特征根被划分;利用分岔图、李雅普诺夫指数、相位图和局部吸引盆研究了耦合强度依赖的分岔行为、忆阻器初值调控的共存极端多稳定性,在忆阻器的控制下,共存无限多异质吸引子沿着直线和平面自我复制;数值结果表明,SSDM和SCDM映射不仅可以生成高度复杂的超混沌吸引子,而且表现出分布在直线和平面上的忆阻器初始条件调控的极端多稳定性行为。

主权项:1.一种基于双离散忆阻器的映射方法,其特征在于,包括以下步骤:构建正弦型离散忆阻器S-DM和余弦型离散忆阻器C-DM;将正弦型离散忆阻器S-DM和余弦型离散忆阻器C-DM并联耦合并通过自反馈连接,构造三维双离散忆阻器超混沌映射模型,三维双离散忆阻器超混沌映射模型包括三维正弦-正弦离散忆阻器SSDM超混沌映射模型和三维正弦-余弦离散忆阻器SCDM超混沌映射模型;将三维双离散忆阻器超混沌映射模型写入微控制器的数字电路中,微控制器将所产生的数字信号转换成状态变量序列对应的模拟电压,模拟电压被输入到示波器中进行捕获,获得超混沌和极端多稳定性的离散映射。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 新疆大学 一种基于双离散忆阻器的映射方法

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