申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114910842B

主分类号：G01R33/34

分类号：G01R33/34;G01R33/44

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件。磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层和第三谐振电路。第一电介质层包括相对间隔设置的第一表面和第二表面。第一电极层设置于第一表面。第一电极层覆盖部分第一表面。第二电极层设置于第一表面。第二电极层与第一电极层间隔设置。第二电极层覆盖部分第一表面。第三谐振电路连接于第一电极层和第二电极层之间。第一电极层和第二电极层间隔设置于第一表面。第三谐振电路的两端分别与第一电极层和第二电极层电连接。在磁场增强组件设置第三谐振电路，使用第三谐振电路代替结构电容可以减小磁场增强组件的损耗。

主权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层（100），包括第一表面（101）；第一电极层（110），设置于所述第一表面（101），并覆盖部分所述第一表面（101）；第二电极层（120），设置于所述第一表面（101），与所述第一电极层（110）间隔设置，并覆盖部分所述第一表面（101）；以及第三谐振电路（400），包括第三电容（223）、第一电感（241）和第一开关电路（631），所述第三电容（223）的一端与所述第一电极层（110）连接，所述第三电容（223）的另一端与所述第二电极层（120）连接，所述第一电感（241）的一端与所述第二电极层（120）连接，所述第一开关电路（631）连接于所述第一电感（241）的另一端与所述第一电极层（110）之间，所述第一开关电路（631）包括第五增强型MOS管（235）和第六增强型MOS管（236），所述第五增强型MOS管（235）的漏极和栅极分别与所述第一电感（241）远离所述第二电极层（120）的一端连接，所述第五增强型MOS管（235）的源极与所述第一电极层（110）连接，所述第六增强型MOS管（236）的漏极和栅极分别所述第一电极层（110）连接，所述第六增强型MOS管（236）的源极与所述第一电感（241）远离所述第二电极层（120）的一端连接，所述第五增强型MOS管（235）和所述第六增强型MOS管（236）反向并联连接；加载的电压超过所述第五增强型MOS管（235）和所述第六增强型MOS管（236）的沟道导通电压时，所述第五增强型MOS管（235）的源漏极导通和所述第六增强型MOS管（236）的源漏极交替导通。

全文数据：

权利要求：

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