申请/专利权人：上海慕灿信息科技有限公司

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117421955B

主分类号：G06F30/23

分类号：G06F30/23

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要：本发明公开了一种应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，包括以下步骤：步骤1：构建一个由两个区域组成的计算域，单元格的大小在界面处从Δ变为ΔR＝Δ'，边界作为区域之间的接口；步骤2：构建第二个域，其中网格大小从Δ到ΔR＝Δ”变化；步骤3：建立互补导数算法，并使用二阶精确插值方法确定网格尺寸的缩减因子。在基于FDTD的方法中使用非均匀网格时实现二阶精度，此外，CDM可以实现广泛的网格尺寸缩减因子，从而允许比以前更大的网格尺寸灵活性。理论讨论和数值模拟表明，CDM消除了一阶网格界面反射误差。鉴于高介电常数和高磁导率材料的使用越来越多，预计CDM将对此类材料的建模产生强烈影响。

主权项：1.一种应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：构建一个由两个区域组成的计算域，单元格的大小在界面处从Δ变为ΔR＝Δ′，边界作为区域之间的接口；步骤2：构建第二个域，其中网格大小从Δ到ΔR＝Δ″变化；步骤3：建立互补导数算法，并使用二阶精确插值方法确定网格尺寸的缩减因子；步骤1中，具体的：电场和磁场沿轴线的排列，单元格的大小在界面处从Δ变为ΔR＝Δ′；利用泰勒级数展开，将边界两侧的磁场表示为 通过2减去1，经过代数处理，把导数H′x0写成 在步骤2中，采用步骤1中同样的方法求磁场的导数H′x0，其中：对于新的单元格尺寸，写成 由式34可知，截断误差是一阶的，则：3和4的算术平均值为 作为消去一阶截断误差的充分条件，式5右侧的第三项为零，产生了以下等式：

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海慕灿信息科技有限公司 一种应用FDTD中非均匀网格的二阶精确插值方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD