申请/专利权人：京信通信技术(广州)有限公司

申请日：2019-12-20

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN111129730B

主分类号：H01Q1/36

分类号：H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q1/48;H01Q21/00;H01Q21/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开

摘要：本发明公开了一种天线及其双频辐射结构，双频辐射结构包括：第一射频传输件；第一馈电件；高频辐射单元，高频辐射单元包括电性连接的第一金属底座及高频辐射体；及低频辐射单元，低频辐射单元包括电性连接的低频辐射体及第二金属底座，第二金属底座与第一金属底座电性连接。其中，第一馈电件的第一馈电段穿设于第二金属底座的第二通孔及第一金属底座的第一通孔设置，第一馈电件的第二馈电段设置于耦合孔内，第一射频传输件的第一传输体与第一馈电段的另一端电性连接，第一射频传输件的第一接地体与第二金属底座电性连接。双频辐射结构不需对高频辐射单元的高频辐射体进行电镀，生产成本低；如此，采用双频辐射结构的天线的生产成本低。

主权项：1.一种双频辐射结构，其特征在于，包括：第一射频传输件，所述第一射频传输件包括第一传输体和第一接地体；第一馈电件，所述第一馈电件包括第一馈电段和第二馈电段，所述第一馈电段的一端与所述第二馈电段的一端电性连接；高频辐射单元，所述高频辐射单元包括电性连接的第一金属底座及高频辐射体，所述第一金属底座设有与所述高频辐射体对应设置的第一通孔及耦合孔；及低频辐射单元，所述低频辐射单元包括电性连接的低频辐射体及第二金属底座，所述低频辐射体设置于所述第一金属底座与所述第二金属底座之间，所述第二金属底座与所述第一金属底座电性连接，所述第二金属底座设有能够与所述第一通孔对应连通的第二通孔；其中，所述第一馈电段穿设于所述第二通孔及所述第一通孔设置，所述第二馈电段设置于所述耦合孔内，所述第一传输体与所述第一馈电段的另一端电性连接，所述第一接地体与所述第二金属底座电性连接；所述耦合孔的深度与所述第二馈电段的长度相匹配；所述第二通孔的侧壁的底部设有用于供所述第一接地体与所述第二金属底座进行焊接的焊接口。

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权利要求：

百度查询： 京信通信技术(广州)有限公司 天线及其双频辐射结构

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