申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司

申请日：2015-06-19

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113241344B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H01L27/07;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/739;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/28

优先权：["20140620 US 14/310,055"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.08.27#实质审查的生效;2021.08.10#公开

摘要：本发明的各个实施例涉及具有不同局部跨导的半导体开关器件。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有外缘、限定出有源面积区域的多个可开关控制单元、和布置在限定出该有源面积区域域的可开关控制单元与外缘之间的边缘端接区域。每个可开关控制单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域。由可开关控制单元限定出来的该有源面积区域至少包括具有第一跨导的第一可开关控制区域并且至少包括具有第二跨导的第二可开关控制区域，该第二跨导与该第一跨导不同。

主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括外缘、多个可开关控制单元以及边缘端接区域，所述多个可开关控制单元限定出有源面积区域，所述边缘端接区域被布置在所述外缘与限定出所述有源面积区域的所述可开关控制单元之间，其中所述可开关控制单元中的每个可开关控制单元都包括：本体区域、栅极电极结构和源极区域；源极金属化结构，与所述可开关控制单元的所述源极区域欧姆接触；以及栅极金属化结构，与所述可开关控制单元的所述栅极电极结构欧姆接触，其中由所述可开关控制单元限定出的所述有源面积区域至少包括具有相应沟道区域的第一可开关控制区域，其中每个相应沟道区域都具有第一沟道宽度；并且至少包括具有相应沟道区域的第二可开关控制区域，其中每个相应沟道区域具有与所述第一沟道宽度不同的第二沟道宽度，其中所述第二可开关控制区域被布置在所述栅极金属化结构与所述第一可开关控制区域之间，其中所述第二可开关控制区域的所述沟道区域的所述第二沟道宽度大于所述第一可开关控制区域的所述沟道区域的所述第一沟道宽度，并且其中所述第二可开关控制区域的面积区域与所述可开关控制区域的总面积区域之比率在从5％至50％的范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 具有不同局部跨导的半导体开关器件

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