申请/专利权人：苏州闻道电子科技有限公司

申请日：2021-12-28

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN114446742B

主分类号：H01J35/02

分类号：H01J35/02;H01J35/06;H01J35/08;H01J35/16;G01N23/2273

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开

摘要：本发明涉及一种小型化的X射线二极管。该X射线二极管包括：光阴极、阳极网、储能电容、同轴输出结构和高压输入接口；所述光阴极固定设置在所述同轴输出结构的一端；所述光阴极与所述阳极网贴合设置；所述阳极网固定设置在所述储能电容的一端；所述储能电容的另一端与所述高压输入接口连接；所述同轴输出结构的另一端为脉冲信号输出端；所述光阴极、所述阳极网、所述储能电容、所述同轴输出结构和所述高压输入接口均置于一锥形体结构中。基于这一结构，本发明提供的X射线二极管相较于现有技术，其尺寸大幅减小，大幅度提高输出带宽，并去除外壳进一步减小体积，适应小型化能谱仪的要求，应用于X射线探测领域。

主权项：1.一种小型化的X射线二极管，其特征在于，包括：光阴极、阳极网、储能电容、同轴输出结构和高压输入接口；所述光阴极固定设置在所述同轴输出结构的一端；所述光阴极与所述阳极网贴合设置；所述阳极网固定设置在所述储能电容的一端；所述储能电容的另一端与所述高压输入接口连接；所述同轴输出结构的另一端为脉冲信号输出端；所述光阴极、所述阳极网、所述储能电容、所述同轴输出结构和所述高压输入接口均置于一锥形体结构中；所述光阴极为由基底和镀膜层形成的单层膜结构；光阴极基底选择采用以下方法完成制备：1、使用Cu和Al作为基底，采用金刚石车床加工；2、通过磁控溅射镀膜层，镀膜材料根据能带选择；阳极网通过照相制版，之后采用曝光和电子束刻蚀形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州闻道电子科技有限公司 一种小型化的X射线二极管

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