申请/专利权人：国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;安徽正广电电力技术有限公司;中国矿业大学;国网安徽省电力有限公司淮北供电公司;国网安徽省电力有限公司超高压分公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院

申请日：2024-02-04

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117691557B

主分类号：H02H9/00

分类号：H02H9/00;H01C7/02;H01C1/08;H02H9/02;H02H9/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明涉及热敏器件的一种PT限流消谐用PTC电阻降值加速组件及方法。其包括串联在PT高压侧中性点与接地母排之间的一次消谐器以及并联于一次消谐器的定值电阻和执行模块。其中，定值电阻和执行模块串联在一起，并且定值电阻处于执行模块的输入侧。一次消谐器的阻尼电阻选用PTC材料，该一次消谐器并联有执行模块，可以在利用阻尼电阻的正温度系数特性对PT过电压进行抑制之后，通过执行模块中的降阻加速组件加速阻尼电阻的降温，使阻尼电阻的温度快速降至的低域值，进而使阻尼电阻利用其自身特性迅速降低电阻率，进入低阻态。阻尼电阻呈低阻态时而定值电阻阻值远大于阻尼电阻，使PT高压侧中性点电流几乎不流经执行模块，从而不会影响电力系统的运行。

主权项：1.一种PT限流消谐用PTC电阻降值加速组件，包括串联在PT高压侧中性点与接地母排之间的一次消谐器（1），其特征在于，还包括：并联于一次消谐器（1）的定值电阻和执行模块，定值电阻和执行模块串联在一起，并且定值电阻处于执行模块的输入侧；所述执行模块包括用于加速一次消谐器（1）降温的降阻加速组件（2）、用于控制降阻加速组件（2）启闭的NMOS和用于控制NMOS通断的MCU，MCU与定值电阻串联，降阻加速组件（2）和NMOS串联且接入外界电源；所述一次消谐器（1）为流敏型消谐器，其内部的阻尼电阻采用PTC材料制成，其外部壳体侧壁预设有用于安装降阻加速组件（2）的安装位；所述降阻加速组件（2）包括嵌块（21）和半导体制冷片（22），嵌块（21）嵌装在一次消谐器（1）预设的安装位内，并且嵌块（21）的内端面与一次消谐器（1）预设的安装位内所暴露的内部阻尼电阻的表面相互抵接，半导体制冷片（22）的冷面与嵌块（21）的外端面贴合，半导体制冷片（22）的输入端接入外界电源的正极，而其输出端接入NMOS的漏极；所述降阻加速组件（2）的启闭逻辑步骤如下：S1、第一次条件判断，一次消谐器（1）进行消谐过程中，PT高压侧中性点输出的电流分流至定值电阻，并且流向MCU，MUC监测定值电阻的实时电流并进行如下判断：当时，MCU被唤醒；当时，MCU保持沉睡，直至增加至符合MCU被唤醒的条件；S2、第二次条件判断，MCU被唤醒后，持续监测和分析定值电阻的实时电流并进行如下判断：当，MCU控制NMOS导通并进行计时，降阻加速组件（2）工作对一次消谐器（1）的内部阻尼电阻进行降温以加速该阻尼电阻的下降；当，MCU不对NMOS进行动作，NMOS保持断开，降阻加速组件（2）不工作，直至符合MCU控制NMOS导通的条件；S3、第三次条件判断，MCU持续对采样的电流数据实时刷新并进行如下判断：当MCU从计时开始，直至，定值电阻的电流大小变化呈，MCU计时结束并控制NMOS断开，降阻加速组件（2）不工作，结束对一次消谐器（1）内部阻尼电阻的降温，即结束对该阻尼电阻的降值速度的加速；当MCU从计时开始，并且未到达预设时长时，定值电阻的电流大小变化呈，MCU直接控制NMOS断开并停止计时，降阻加速组件（2）不工作，随后重新执行步骤S2；所述步骤S1、步骤S2和步骤S3中： 为MCU在实时监测定值电阻的电流大小变化过程中，定值电阻的实时电流值； 为PT所在电力系统正常运行状态下，一次消谐器（1）内部阻尼电阻在温度为时，定值电阻的电流值； 为采用时间点在的采样时间点之前依次采样的若干个一次消谐器（1）的电流值，即是的历史采样值，并且的采样时间与的采样时间相邻，在这些依次采样的时间点中，至少有三个采样节点，即； 为从MCU计时开始直至计时结束的实时时长； 即预设时长，是MCU预设的用于触发结束计时的时长；在这些依次采样的时间点中，相邻的两个采样点时间的间隔时长与MCU的预设时长的关系为，在预设时长内MCU至少判断四次的状态，即且取整数，为间隔时长的数量。

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百度查询： 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;安徽正广电电力技术有限公司;中国矿业大学;国网安徽省电力有限公司淮北供电公司;国网安徽省电力有限公司超高压分公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院 PT限流消谐用PTC电阻降值加速组件及方法

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