申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2018-03-01

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN112117272B

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06;H01L21/77;H01L21/762

优先权：["20170307 CN 2017101317385"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.12.22#公开

摘要：本发明是关于一种三维存储器器件的结构及其形成方法。该存储器器件包含衬底以及复数个在该衬底上且延伸于第一方向上的复数个字符线，其中，该第一方向延伸于x方向上。字符线形成在第一区域中的阶梯结构。复数个沟道形成在第二区域上并通过字符线。该第二区域在区域边界上紧邻该第一区域。该存储器器件还包含形成在该第一区域与该第二区域且延伸于该第一方向上的绝缘狭缝。该第一区域中以第二方向测量该绝缘狭缝的第一宽度大于该第二区域中以该第二方向测量该绝缘狭缝的第二宽度。

主权项：1.一种存储器器件，其包括：堆栈，所述堆栈包括沿着第一方向延伸的复数个字符线，其中，所述复数个字符线在第一区域形成阶梯结构；形成在第二区域并且通过所述复数个字符线的复数个沟道，其中，所述第二区域在区域边界上紧邻所述第一区域；以及沿着所述第一方向延伸的绝缘狭缝，其中，所述绝缘狭缝包括形成在第一区域中的第一狭缝结构和形成在所述第二区域中的第二狭缝结构，所述第一狭缝结构和第二狭缝结构直接连接，其中，所述第一狭缝结构和所述第二狭缝结构贯穿整个所述堆栈，所述第一狭缝结构沿第二方向测量的第一宽度大于贯穿整个所述堆栈的所述第二狭缝结构在所述第二区域中的每一段沿所述第二方向测量的第二宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器器件的沟槽结构

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